化学束外延起源于上个世纪80年代，它结合了分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD）技术的优点，适用于生长III-V族半导体薄膜，也可以用于Si, Si_xGe_1-x, FeSi₂薄膜沉积, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO₃, 超导氧化物, TiO₂, Al₂O₃, 掺铒Al₂O₃, Y₂O₃, CdO, HfO₂, LiNbO₃, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO₂等。

化学束外延借用CVD（反应前驱体分子通过气相传输到加热衬底上）及MBE（前驱体流分子束本质——分子轨迹视线）的概念。一般说来，化学束外延的真正价值在过去并未得到承认，大多数熟悉这种技术的人都发现化学束外延很复杂，并且上世纪90年代化学束外延的各种优势的结合未被完全挖掘，而这种结合却是现在制造复杂设备的关键所在。目前，我们代理的设备是经过20年的持续不断研发，将设简单易用、工艺优化、所有的优点和设施集中于一套可靠的设备中。

       实验证明化学束外延具有显著的优点，例如：

•    可控多元素材料沉积及掺杂，例如GaAsInP

•    6’’衬底均匀性：无旋转+/-1.5%，旋转+/-0.5%                     •    沉积大面积薄膜：直径100mm - 450mm或更大

•    前驱体转化率高，生长速率10 nm/h至20μm/h                       •    欧盟项目支撑: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM

•    已经商业化薄膜: TiO₂, Al₂O₃, Ta₂O₅, Nb₂O₅, HfO₂            •    超高真空原位诊断技术、自组装结构、工艺温度很低

•    可以一步实现复杂形状和（成分/厚度）梯度薄膜材料    •    无气相反应、工艺灵活（从外延生长到高度多孔材料）

设备配置：

1.       热漆外框架容纳所有元件，标准RAL7035颜色；          2.       支持多达6种前驱体，专有热源技术可达200℃；

3.       主要反应腔体采用可调热内壁，圆柱形液氮冷阱围绕样品台；可远程控制，电脑监控各种参数；

4.       辐射加热衬底最低温度可达700℃，其他加热器支持衬底最高温度可达1400℃；

5.       真空系统用组合泵：250l/s分子泵+10m³/h干泵；       6.       配备全自动Load-Lock，等离子体清洗功能可选。

7.       在样品生长过程中激光/电子/离子束辐照单元。

8.      可逆组装：（无衬底旋转）均匀性优于±2%，（有衬底旋转）均匀性优于+/-0.5%；组合配置用以生长梯度样品：

         厚度梯度支持1个前驱体，化学成分梯度支持2-6个。两种方式通过程序控制切换。