关键词：金属膜、氧化膜、分子束外延、MBE、化学束外延、CVD、激光辅助
GSMBE、MOMBE、半导体膜、氧化膜、III-V族、 气源分子束外延
InAs/GaAs量子点激光器、GeSi/Si、GaN、InGaAs/InGaAsP
化学束外延生长法（Chemical Beam Epitaxy）是在分子束外延（MBE）和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的，通常用激光辅助化学束沉积方法可以制备各种半导体膜材、氧化物膜材。
化学束外延生长系统
化学束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化学气相沉积(CVD)优点，可以用来生长III-V族半导体薄膜，也可以用来沉积Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。CBE已经显示出非常显著的优越性，例如：
• 可控沉积和多元（3-5元、6元）掺杂、例如沉积GaAsInP；成分和厚度均匀性高（2% @直径300mm，无衬底旋转）；
• 样品生长速率范围大（10 nm/h至10μm/h）；前驱体转换率极高；衬底尺寸灵活：直径100 - 300mm或更大尺寸衬底；
• 按照设定模型，可一次性在一个衬底上生长高匹配的成分梯度或厚度梯度样品，以研究成分和厚度对薄膜性能的影响
• 准分子激光束/离子束/电子束辅助沉积3D复杂结构，在亚微米尺度上研究结构、形状和尺寸对纳米结构性能的影响；
• 获得多个欧盟项目支撑: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM；多种薄膜已经商业化：TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2等；
设备配置：
1. 热漆外框架容纳所有元件，标准RAL7035颜色；
2. 专有热源技术可达200℃，支持多大6种前驱体；
3. 主要反应沉积腔体采用可调热内壁，圆柱形液氮冷阱围绕样品台。远程控制，电脑监控各种参数；
4. 辐射加热衬底最低温度可达700℃，其他加热器支持衬底最高温度达1400℃；
5. 真空系统采用250l/s分子泵+10m3/h干泵；
6. 全自动Load-lock，等离子体清洗可选。
7. 生长过程中激光/电子/离子束辐照单元。
8. 可逆组装：(无衬底旋转)均匀性可达±2%, (有衬底旋转)均匀性可达+/-0.5%；
或组合配置用以生长梯度样品：厚度梯度支持1个前驱体，化学成分梯度支持2-6个。
两种方式可以通过程序控制可切换。
详细信息请咨询我们！
