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(激光/电子束) 辅助化学束外延系统MOMBE/GSMBE
发布日期:2015-07-14

关键词:金属膜、氧化膜、分子束外延、MBE、化学束外延、CVD、激光辅助

                GSMBE、MOMBE、半导体膜、氧化膜、III-V族、 气源分子束外延    

            InAs/GaAs量子点激光器、GeSi/Si、GaN、InGaAs/InGaAsP

 

化学束外延生长法(Chemical Beam Epitaxy)是在分子束外延(MBE)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的,通常用激光辅助化学束沉积方法可以制备各种半导体膜材、氧化物膜材。

 

化学束外延生长系统

 

化学束外延 Chemical Beam Epitaxy融合了分子束外延(MEB)和化学气相沉积(CVD)优点,可以用来生长III-V族半导体薄膜,也可以用来沉积Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜,以及氧化物薄膜,包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。CBE已经显示出非常显著的优越性,例如:

 

•    可控沉积和多元(3-5元、6元)掺杂、例如沉积GaAsInP;成分和厚度均匀性高(2% @直径300mm,无衬底旋转);

•    样品生长速率范围大(10 nm/h至10μm/h);前驱体转换率极高;衬底尺寸灵活:直径100 - 300mm或更大尺寸衬底;

 

 

•    按照设定模型,可一次性在一个衬底上生长高匹配的成分梯度或厚度梯度样品,以研究成分和厚度对薄膜性能的影响

 

•    准分子激光束/离子束/电子束辅助沉积3D复杂结构,在亚微米尺度上研究结构、形状和尺寸对纳米结构性能的影响;

•    获得多个欧盟项目支撑: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM;多种薄膜已经商业化:TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2等;

 

设备配置:

1.       热漆外框架容纳所有元件,标准RAL7035颜色;

2.       专有热源技术可达200℃,支持多大6种前驱体;

3.       主要反应沉积腔体采用可调热内壁,圆柱形液氮冷阱围绕样品台。远程控制,电脑监控各种参数;

4.       辐射加热衬底最低温度可达700℃,其他加热器支持衬底最高温度达1400℃;

5.       真空系统采用250l/s分子泵+10m3/h干泵;

6.       全自动Load-lock,等离子体清洗可选。

7.       生长过程中激光/电子/离子束辐照单元。

8.      可逆组装:(无衬底旋转)均匀性可达±2%, (有衬底旋转)均匀性可达+/-0.5%;

         或组合配置用以生长梯度样品:厚度梯度支持1个前驱体,化学成分梯度支持2-6个。

         两种方式可以通过程序控制可切换。

 

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