关键词：分子束外延、MBE、二六族、三五族、Ⅱ-Ⅵ MBE、Ⅲ-Ⅴ MBE、Nitride MBE、Oxide MBE 

                GaAs外延, InP外延, GaSb外延；HgCdTe外延；GaN外延, InN外延, AlN外延；Ⅱ-Ⅵ族外延；

                RF-MBE、射频等离子体辅助分子束外延、SiGe外延、 Si外延、Si/Ge金属外延、 氧化物外延;  

                 欧美/日本进口分子束外延设备; GSMBE, MOMBE、氮化物半导体、III-V化合物、Si/Ge介质材料

来自日本的分子束外延设备生产商，提供MBE设备（Molecular Beam Epitaxy）及相关部件，至今有多年的丰富经验；原厂设计所有MBE所需部件，包括K-cell、加热样品台、RHEED、束流计（beam flux monitor）、等离子体辅助源炉、液氮冷却腔体等。您可以任意选择您想要的配置，获得一台稳定、实用且易用的科研设备。目前包括RIKEN, NIMS, Waseda Univ.等著名科研机构均在使用。

■ 主要特征

1. 主要冷部件都经过彻底地高温除气处理，从而排除污染物。

2. 您可以选择任意您想要的MBE冷部件和配置。

3. 您可以选择MBE类型，例如Ⅱ-Ⅵ MBE, Ⅲ-Ⅴ MBE, Nitride MBE, or Oxide MBE 设备.

■ 标准配置

1. 腔室: 材料生长腔室, load lock，传送室，准备室。

2. 真空系统(生长腔体): 离子泵+升华泵+分子泵+前级泵。

3. 样品生长腔体真空度: 10^-8Pa或更低(采用LN2)

4. 可以加载样品尺寸: 1” to 6”

5. 加热衬底: 最大800℃ (或1000℃)

6. Number of cell port: 4 to 8

7. RHEED: 30kV RHEED electron source,

6英寸屏幕，观察口及挡板.

■ 采购信息

选择下列类型：

类型: Ⅱ-Ⅵ MBE, Ⅲ-Ⅴ MBE, Nitride MBE, or Oxide MBE

衬底尺寸: 1” to 6” 或其他

Number and type of cell: K-cell, plasma cell

■ K-CELL (Knudsen cell)

1. Vacuum range of use: 10^-4Pa or less

2. Crucible capacity (cc) and type: 5, 10, 25S(straight), 25T(taper), 40, 100 or others

3. Mounting flange: φ70CF(2-3/4”) to φ152CF(6”)

4. Thermo-couple: W/Re 5-26

5. Heater material: tungsten, tantalum or others

■ RHEED system

1. Acceleration voltage ; 20kV / 30kV Max

2. Flange ; φ114CF(4-1/2”) or φ70CF(2-3/4”)

3. Screen & shutter unit ; 6” or others

■ Plasma cell

RF radical beam source

1. Gas ; N2, O2, and/or H2

2. RF Output Power ; 500W MAX

3. Frequency ; 13.56 MHz

4. Matching ; Auto

5. Flange ; φ114CF(4-1/2”)

■ Others

                                 加热衬底装置                                                                                                流量计

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