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带磁控溅射离子束刻蚀系统
发布日期:2021-03-11

关键词:RIE、RIBE、反应离子束刻蚀、CAIEB、化学辅助离子束刻蚀、

              过渡金属、磁性材料、MRAM、GMR、TMR、Pt、Cu、TeGe、PZT

               

 
型号:MU 450;   产地:欧洲;

应用:过渡金属, PZT, 磁性材料(MRAM, GMR, TMR), Pt, Cu, TeGe ;

 

代表性用户:法国科学研究中心(CNRS)、意法半导体(ST) 
 
 
基本配置如下:
 
主腔体:不锈钢原著腔体
 
真空系统:采用35m3/h干泵+1600l/s全磁性分子泵
              采用潘宁真空计、膜片真空计
              真空度≤3×10-7mbar
              20min 内抽真空到2×10-6mbar
 
样品台:马达驱动、水冷可接纳4/6英寸衬底,
           可以旋转,转速2-20rpm,
           可以在0-180°倾斜,精度和可重复性优于0.1°
           样品台倾斜不改变衬底与离子源之间的距离
 
ICP源:束能100-1000eV,束流>500mA@1000eV
均匀性:±3% on 90mm, ±6% on 140 mm
 
气路:两条氩气气路,分别配置MFC(50sccm,10sccm)
 
刻蚀监控:SIMS,分子泵240l/s+机械泵5m3/h,潘宁/皮拉尼真空计
 
Z方向运动:马达驱动,量程75mm
 
溅射源:3英寸磁控阴极带靶源
           氧气气路,配带10sccm MFC
           马达驱动高度方向移动,量程100mm
          13.56MHz,300W 射频电源
           均匀性优于±5%@100mm 
 
控制系统:全自动控制,半自动和手动模式可用
              支持多级用户权限设置和管理
              支持设备远程操作、监控、诊断和维护
              系统自动报警及定位故障
 

 

 

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