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微波等离子体化学气相沉积系统用于纳米晶金刚石合成(MPCVD)
发布日期:2021-03-11
关键词: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石、微波等离子体化学气相沉积系统
 
             CVD金刚石合成设备、纳米晶金刚石、超纳米晶金刚石、UNCD、NCD、MCD、
 
              Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
 
 
微波等离子体化学气相沉积系统用于沉积纳米晶金刚石,设备特点概述如下:
 
适用范围:生长大面积金刚石薄膜(4-8英寸,甚至更大)
 
生长速度:可高达several μm/h,甚至更高;
 
生长范围:可在直径100mm范围内生长、或者在直径200mm范围内生长。
 
晶粒大小:超纳米晶、纳米晶、微米晶
 
 
研究及小规模生产型:
 
功率:2.45GHz,6KW;
 
加热衬底:3’’-4’’ diameter, 衬底旋转、偏压电极可选;
 
真空泵:机械泵(油泵或干泵),TMP可选;
 
气路:CH4,H2,Ar; 更多可选.
 
控制方式:半自动或全自动;
 
生长速率:可达5μm/h
 
整体特点:用于MEMS领域
 
 
 
大规模大面积生产研发型:
 
微波功率:915MHz,35KW;
 
衬底:直径200mm或更大; 衬底加热或旋转可选(或多个衬底旋转机构);偏压可选
 
真空系统:油泵或干泵+TMP;
 
控制系统:全自动控制;
 
工艺气路:CH4,H2,Ar;更多可选;
 
生长速率:5μm/h,更高可能
 
衬底材料:请咨询我们!
 
整体特点:专门大面积纳米晶、超纳米晶金刚石薄膜研究及生产配置;可获得4’’-8’’wafer,可用于MEMS领域.
 
 
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