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微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD(科研/小批量生产型 )
发布日期:2015-01-10
关键词: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石、微波等离子体化学气相沉积系统
 
             CVD金刚石合成设备、纳米晶金刚石、单晶金刚石、single crystal diamond、SCD、
 
              Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
 
 
型号:SSDR150, 产地:欧洲
 
腔体:铝合金腔体,内含石英管反应室;可以长时间满功率运行。
 
微波发生源:频率为2.45GHz、功率为6KW,LCD数显微波入射和反射功率。
 
4条气路:分别为氢气、甲烷、氧气、氮气
             可以增加额外3条气路、可以选择气体(B、N、P)或液体(P)掺杂。
 
样品台: 水冷,可以容纳2英寸衬底;
            生长金刚石过程中,样品台可以上下实时精密调节。
            设备设计非常适合用于厚单晶生长,例如一次性生长2mm。
 
测温系统:采用双色高温计,测温范围为:475°C–1475°C;
              观察口大小:1cm,辅以激光束观察测温位置。
 
真空系统:干泵抽气速率为35 m3/h,分子泵抽气速率为300 l/s
              系统极限真空度<3×10-7mbar。
 
可以选配: 光谱仪,样品台旋转功能,微波发生源脉冲模式,3-4英寸样品台
 
控制系统:配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及操作软件;
              支持多级用户权限设置和多用户管理,系统支持设备的远程操作和维护;
              系统含故障报警及定位功能,能及时提示相应故障部件。
              支持半自动和手动操作模式。
 
设备应用:具备多种用途,以满足用户科研需要;
             适合生长杂质浓度低于1ppb的超高纯度单晶,且有大量专业科技文献佐证;
             适合一次性生长厚单晶以及多种子生长;
             适合金刚石掺杂(硼、磷等)研究及光学级多晶窗口生长
 
工艺培训:原厂工程师现场演示金刚石生长,包括种子选择、种子预处理、
              种子的固定及生长工艺等培训,并现场演示单晶生长;
              原厂需具有高水平和丰富的金刚石生长工艺经验。
 
若有兴趣,可随时联系咨询我们!
 
  
 
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