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MPCVD 设备用于金刚石单晶生长及掺杂研究(研发型)
发布日期:2021-03-11
关键词: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石、微波等离子体化学气相沉积系统
 
             CVD金刚石合成设备、纳米晶金刚石、超纳米晶金刚石、UNCD、NCD、MCD、

 

              Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
 
            超高 纯度单晶、半导体、 掺杂、B-doping、N-doping、蓝钻、 粉钻、黄钻

 

型号:BJS150, 产地:欧洲

主要技术指标:

微波发生器:6 KW, 2.45GHz,脉冲功率模式可选

                  Ripple 2% at full power,

                  stability 1% at full power.

 

钟罩型腔体:非常适合生长单晶和掺杂。 

                  支持高功率密度等离子体

工艺气压:高达300mbar或更高 
生长速率:高达50μm/h 

 

气      路:4条基本气路,分别为H2, O2, CH4, Ar;

               可以最多增加额外3条气路

 

样 品 台:适合两英寸衬底,高度精密可调,衬底旋转可选

温度测试:采用双色红外高温计,范围475℃-1475℃

              精度  ≤±10℃。

 

真空系统:采用分子泵+干泵

               真空度≤5×10-7mbar

               漏率 10-9 mbar/l/s.

控制系统:配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及操作软件;

              支持多级用户权限设置和多用户管理,系统支持设备的远程操作和维护;
              系统含故障报警及定位功能,能及时提示相应故障部件。
              支持半自动和手动操作模式。
 
设备应用:具备多种用途,以满足用户科研需要;
             适合生长杂质浓度低于1ppb的超高纯度单晶,且有大量专业科技文献佐证;
             适合金刚石掺杂(硼、磷等)研究及光学级多晶窗口生长
 
工艺培训:原厂工程师现场演示金刚石生长,包括种子选择、种子预处理、
              种子的固定及生长工艺等培训,并现场演示单晶生长;

 

              原厂需具有高水平和丰富的金刚石生长工艺经验。

 

      

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